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RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是 CPU 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、程序和程序結(jié)果的內(nèi)部存儲(chǔ)器。 它是一個(gè)讀/寫內(nèi)存,它存儲(chǔ)數(shù)據(jù),直到機(jī)器工作為止。 一旦機(jī)器關(guān)閉,數(shù)據(jù)就會(huì)被擦除。
在RAM中的訪問(wèn)時(shí)間與地址無(wú)關(guān),即內(nèi)存中的每個(gè)存儲(chǔ)位置都與其他位置一樣容易到達(dá),并且需要相同的時(shí)間。 內(nèi)存中的數(shù)據(jù)可以隨機(jī)訪問(wèn),但非常昂貴。
內(nèi)存是不穩(wěn)定的。即,當(dāng)我們關(guān)閉計(jì)算機(jī)或有電源故障時(shí),存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)將丟失。 因此,備用不間斷電源系統(tǒng)(UPS)經(jīng)常與計(jì)算機(jī)一起使用。 RAM 很小,無(wú)論從物理大小還是它所能容納的數(shù)據(jù)量來(lái)看都是如此。
RAM有兩種類型:
“靜態(tài)”一詞表示,只要提供了電源,內(nèi)存就會(huì)保留其內(nèi)容。然而,由于性質(zhì)不穩(wěn)定,當(dāng)電源下降時(shí),數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。SRAM 芯片使用一個(gè)包含 6 個(gè)晶體管的矩陣,而沒(méi)有電容器。晶體管不需要電源來(lái)防止泄漏,因此 SRAM 無(wú)需定期刷新。
矩陣中有額外的空間,因此 SRAM 對(duì)于相同數(shù)量的存儲(chǔ)空間,SRAM 比 DRAM 使用更多的芯片,這使得制造成本更高。因此,SRAM 被用作高速緩存內(nèi)存,并且訪問(wèn)速度非???。
DRAM 不像 SRAM 必須不斷地刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。這是通過(guò)將存儲(chǔ)器上改寫數(shù)據(jù)每秒幾百次的刷新電路完成的。 DRAM 可用于大多數(shù)系統(tǒng)存儲(chǔ)器,因?yàn)樗阋瞬⑶倚?。所有的DRAM 是由它們組成一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管的存儲(chǔ)器單元。
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